Características y ventajas Doble transistor D-MOS vertical de canal N en contrafase encapsulado en un encapsulado de brida equilibrada SOT262A1 de 4 terminales con tapa cerámica. La brida de montaje proporciona la conexión de fuente común para los transistores.

Alta ganancia de potencia

Fácil control de la potencia

Buena estabilidad térmica

La metalización de oro garantiza una excelente fiabilidad

Aplicaciones

Transmisores de radiodifusión en la gama de frecuencias VHF.