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Características y ventajas Doble transistor D-MOS vertical de canal N en contrafase encapsulado en un encapsulado de brida equilibrada SOT262A1 de 4 terminales con tapa cerámica. La brida de montaje proporciona la conexión de fuente común para los transistores.
Alta ganancia de potencia
Fácil control de la potencia
Buena estabilidad térmica
La metalización de oro garantiza una excelente fiabilidad
Aplicaciones
Transmisores de radiodifusión en la gama de frecuencias VHF.